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西北工业大学集成电路工程(专硕)专业历年招生信息
招生年份:2023 | 本院系招生人数: 未公布 | 集成电路工程(专硕)专业招生人数: 13 | 专业代码 : 085403 |
研究方向 |
085403 集成电路工程 (全日制10,非全3) 更多研究方向 | ||
考试科目 |
①101思想政治理论 ②201英语(一) ③301数学(一) ④882半导体物理与器件 更多考试科目信息 | ||
初试 |
882半导体物理与器件
考试内容 1. 半导体中的电子状态:半导体晶体结构与化学键性质;半导体中电子状态与能带;电子的运动与有效质量;空穴和回旋共振;元素半导体和典型化合物半导体的能带结构。 2. 半导体中杂质和缺陷能级:元素半导体中的杂质能级;化合物半导体中的杂质能级、位错和缺陷能级。 3. 半导体中载流子的统计分布:状态密度及Fermi能级;载流子统计分布;本征和杂质半导体的载流子浓度;补偿半导体的载流子浓度;简并半导体的定义。 4. 半导体的导电性:载流子的漂移运动;迁移率及载流子的散射;迁移率与杂质浓度和温度的关系;电阻率与杂质浓度和温度的关系;强场效应与热载流子。 5. 非平衡载流子:非平衡载流子的产生与复合;非平衡载流子寿命;准费米能级;复合理论及陷阱效应;非平衡载流子的扩散与漂移;爱因斯坦关系及连续性方程。 6. pn结理论:空间电荷区的形成;不同偏压下的pn结能带图及参数变化;内建电势差、势垒电容的定义;单边突变结的特性与属性。 7. pn结二极管基本工作原理:理想pn结电流-电压关系;不同偏压下的pn结电荷流动机制;空间电荷区边缘少子浓度的边缘条件;短二极管及扩散电容;产生与符合电流;雪崩击穿机制。 8. 金-半异质结:肖特基势垒二极管在不同偏压下的能带图;肖特基势垒二极管的原理;欧姆接触及隧道效应;二维电子气的定义。 9. 双极晶体管基本工作原理:双极晶体管的基本结构、原理及少数载流子分布;低频电流增益和非理想效应;双极晶体管的等效电路模型;频率特性和开关特性。 10. 金属-氧化物-半导体场效应结构物理基础:MOS结构的物理性质;能带结构与空间电荷区;平带电压与阈值电压;电容电压特性。 11. MOSFET基本工作原理:MOSFET基本结构;MOSFET电流电压关系;衬底偏置效应;MOSFET的频率特性;闩锁现象。 12. MOSFET器件的深入概念:MOSFET中的非理想效应;MOSFET的按比例缩小理论;小尺寸器件的阈值电压;MOSFET器件的击穿特性。 13. 结型场效应晶体管基本工作原理:JFET和MESFET的基本工作原理;内建夹断电压和夹断电压的定义;JFET非理想效应; 更多初试参考书目信息 |
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复试科目 |
复试科目:电路与系统设计或集成电路设计 更多复试科目信息 | ||
同等学力 |
同等学力加试科目:
信号与系统、电路基础、模拟电子技术、数字电子技术四门中任选初试未考过的两门 更多同等学力加试科目 |
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题型结构 |
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资料说明 |
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复试 |
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录取比例 |
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难度系数 |
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导师信息 |
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研究方向 |
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